Transistor de canal N ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 3.8A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 70V. C(pulg): 298pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 35pF. Diodo Trr (Mín.): -. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 0uA. Identificación (diablillo): 10A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 11.5 ns. Td(encendido): 1.9 ns. Tecnología: MOSFET en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: -. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:05