Transistor de canal P 2SJ119, TO-3P, -160V. Vivienda: TO-3P. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -160V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1050pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -8A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: J119. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. RoHS: no. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: Hitachi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27