Transistores FET y MOSFET

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-92, -20V, JFET, TO-92, 20V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Vivienda (norma JEDEC): JFET. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 20V. RoHS: NINCS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N3820. Corriente de drenaje Idss [A] @ Ug=0V: -15mA. Voltaje del punto de interrupción de la fuente de puerta Ugss [V] @ Uds=0V: +8V @ -10V. Disipación máxima Ptot [W]: 0.36W. Familia de componentes: Transistor JFET de canal P. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 8V

Transistor de canal P, 6mA, 6mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18. DI (T=25°C): 6mA. Idss (máx.): 6mA. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Cantidad por caja: 1. Función: P-FET S. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor de canal P, soldadura de PCB, TO-3P, -160V, -8A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3P. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: J119. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1050pF. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 800pF. Costo): 270pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 20A. Número de terminales: 3. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: V-MOS (F). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 1040pF. Costo): 360pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: SWITCHING, POWER MOS FET. Identificación (diablillo): 24A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 4 v. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 800pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 205 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora Fuente de drenaje baja en resistencia . Identificación (diablillo): 20A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: Silicon P Chanel Mos Fet. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 450pF. Costo): 120pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Identificación (diablillo): 18A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: transistor MOSFET de silicio. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 720pF. Costo): 150pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: diodo de protección integrado. Identificación (diablillo): 30A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 23W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 7 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS de canal P. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 500mA. Idss (máx.): 500mA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 120pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: FET. Función: transistor complementario (par) 2SK216. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 15V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 500pF. Costo): 300pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Función: AUDIO POWER MOSFET. IDss (mín.): 10mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 100 ns. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Spec info: transistor complementario (par) ALF08N20V. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 933pF. Costo): 108pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 21 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 25A. DI (T=100°C): 3.8A. IDss (mín.): 1uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 5.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 1.3V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. Spec info: Voltaje de operación de la puerta tan bajo como 2,5 V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 9.2A, 50uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2060pF. Costo): 370pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 7.4A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.7W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0085 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 4407A. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2330pF. Costo): 480pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Tipo de transistor: FET. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 10.5A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0094 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 49.5 ns. Td(encendido): 12.8 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí

Transistor de canal P, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N-P. Función: 0.032R&0.048R (32 & 48m Ohms). Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Cantidad por caja: 2. Tecnología: MOS-N&P-FET, Complementary ESD rating--3000V (HBM)

Transistor de canal P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 4360pF. Costo): 1050pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 39.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 200A. DI (T=100°C): 65A. IDss (mín.): 0.01uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Resistencia en encendido Rds activado: 5.1M Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 51 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 18A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 920pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 21.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 40A. DI (T=100°C): 18A. IDss (mín.): 0.003uA. Marcado en la caja: D405. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Resistencia en encendido Rds activado: 24.5m Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 9 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: transistor complementario (par) AOD408. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 26A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 2977pF. Costo): 241pF. Tipo de canal: P. Acondicionamiento: rollo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 18A. IDss (mín.): 0.003uA. Marcado en la caja: D409. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Resistencia en encendido Rds activado: 32m Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), DFN8, -30V, -36A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: DFN8. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -36A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Marcado del fabricante: 7401. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.017 Ohms @ -7A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 11 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 24 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2060pF. Disipación máxima Ptot [W]: 36W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 990pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 80A. DI (T=100°C): 15A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.25W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Función: Conmutación rápida, convertidor CC/CC.. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1440pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: P. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 43 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 11A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.064 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, 10A, 250uA, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: P. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 60A. DI (T=100°C): 16A. IDss (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.3W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora . Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-23, -45V, -0.09A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-23. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: MX. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 9 Ohms @ -0.2A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 10 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 25pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.33W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. DI (T=25°C): 0.23A. Idss (máx.): 500nA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 45V. C(pulg): 60pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 3A. IDss (mín.): -0.23A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Resistencia en encendido Rds activado: 14 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -60V, -1.9A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.9A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP171P. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 276 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 460pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldadura de PCB (SMD), SOT-223, -30V, -3A. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOT-223. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sí. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BSP250.115. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 80 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 140 ns. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 250pF. Disipación máxima Ptot [W]: 1.65W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C