Transistor de canal P AO4427, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2330pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 480pF. DI (T=100°C): 10.5A. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Función: Aplicaciones de conmutación o PWM. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 60A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0094 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 49.5 ns. Td(encendido): 12.8 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: FET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52