Transistor de canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 120pF. Función: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Identificación (diablillo): 18A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 25W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.95 Ohms. Td(apagado): 52 ns. Td(encendido): 30 ns. Tecnología: transistor MOSFET de silicio. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Sanyo. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26