Transistor de canal P 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 270pF. Función: Transistor MOSFET de canal P. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Tecnología: V-MOS (F). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26