transistor de canal P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V
Cantidad
Precio unitario
1-4
9.55€
5-24
8.65€
25-49
7.60€
50-99
7.16€
100+
6.50€
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Transistor de canal P AP9575GP, 10A, 250uA, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. Cantidad por caja: 1. DI (T=100°C): 16A. Función: -. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 60A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25
AP9575GP
21 parámetros
DI (T=25°C)
10A
Idss (máx.)
250uA
Vivienda
TO-220
Voltaje Vds(máx.)
60V
Cantidad por caja
1
DI (T=100°C)
16A
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
60A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
31.3W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
RoHS
sí
Td(apagado)
45 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
MOSFET de potencia en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55°C...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
25V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET