transistor de canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v
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Transistor de canal P AO4407A, SO, 9.2A, 50uA, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 50uA. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2060pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 30nC. Corriente de drenaje: -12A, -10A. Costo): 370pF. DI (T=100°C): 7.4A. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 60A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 4407A. Número de salidas: 1. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.7W. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0085 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 24 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V. Voltaje de fuente de drenaje: -30V. Voltaje de fuente de puerta: ±25V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52