transistor de canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

transistor de canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.38€
5-49
1.22€
50-99
1.07€
100-199
0.95€
200+
0.72€
Cantidad en inventario: 140

Transistor de canal P AOD403, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 4360pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1050pF. DI (T=100°C): 65A. Diodo Trr (Mín.): 39.5 ns. IDss (mín.): 0.01uA. Identificación (diablillo): 200A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 5.1M Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 51 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AOD403
31 parámetros
DI (T=25°C)
85A
Idss (máx.)
5uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
4360pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1050pF
DI (T=100°C)
65A
Diodo Trr (Mín.)
39.5 ns
IDss (mín.)
0.01uA
Identificación (diablillo)
200A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
100W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
Resistencia en encendido Rds activado
5.1M Ohms
RoHS
Td(apagado)
51 ns
Td(encendido)
18 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
25V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
2500
Vgs(th) máx.
3.5V
Vgs(th) mín.
1.5V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors