Transistor de canal P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. Vivienda: TO-251 ( I-Pak ). Vivienda (según ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 720pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Función: diodo de protección integrado. Identificación (diablillo): 30A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 23W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.13 Ohms. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo MOS de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Nec. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26