transistor de canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.00€
5-24
0.85€
25-49
0.75€
50-99
0.68€
100+
0.58€
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Cantidad en inventario: 39

Transistor de canal P AOD409, D-PAK ( TO-252 ), 26A, 5uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. : mejorado. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 2977pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 22.2nC. Corriente de drenaje: -18A. Costo): 241pF. DI (T=100°C): 18A. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. IDss (mín.): 0.003uA. Identificación (diablillo): 60A. Marcado en la caja: D409. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Potencia: 30W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 32m Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 2500. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Voltaje de fuente de drenaje: -60V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AOD409
38 parámetros
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=25°C)
26A
Idss (máx.)
5uA
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
mejorado
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
2977pF
Cantidad por caja
1
Cargar
22.2nC
Corriente de drenaje
-18A
Costo)
241pF
DI (T=100°C)
18A
Diodo Trr (Mín.)
40 ns
IDss (mín.)
0.003uA
Identificación (diablillo)
60A
Marcado en la caja
D409
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
60W
Potencia
30W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
32m Ohms
RoHS
Td(apagado)
38 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
2500
Vgs(th) máx.
2.4V
Vgs(th) mín.
1.2V
Voltaje de fuente de drenaje
-60V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors