transistor de canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

transistor de canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.41€
5-49
0.34€
50-99
0.29€
100-199
0.27€
200+
0.22€
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Cantidad en inventario: 211

Transistor de canal P AO3401A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.3A, 5uA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. : mejorado. C(pulg): 933pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 7nC. Corriente de drenaje: -4A. Costo): 108pF. DI (T=100°C): 3.8A. Diodo Trr (Mín.): 21 ns. Función: Baja carga de entrada. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 25A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. Polaridad: unipolares. Potencia: 1.4W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Voltaje de operación de la puerta tan bajo como 2,5 V. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 5.2 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 12V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.3V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Voltaje de fuente de drenaje: -30V. Voltaje de fuente de puerta: ±12V. Producto original del fabricante: Alpha & Omega Semiconductors. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:52

Documentación técnica (PDF)
AO3401A
39 parámetros
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
DI (T=25°C)
4.3A
Idss (máx.)
5uA
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Voltaje Vds(máx.)
30 v
mejorado
C(pulg)
933pF
Cantidad por caja
1
Cargar
7nC
Corriente de drenaje
-4A
Costo)
108pF
DI (T=100°C)
3.8A
Diodo Trr (Mín.)
21 ns
Función
Baja carga de entrada
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
25A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.4W
Polaridad
unipolares
Potencia
1.4W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
0.036 Ohms
RoHS
Spec info
Voltaje de operación de la puerta tan bajo como 2,5 V
Td(apagado)
42 ns
Td(encendido)
5.2 ns
Tecnología
Transistor de efecto de campo en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura
+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
12V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.3V
Vgs(th) mín.
0.6V
Voltaje de fuente de drenaje
-30V
Voltaje de fuente de puerta
±12V
Producto original del fabricante
Alpha & Omega Semiconductors