Transistor de canal P 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 205 ns. Función: Modo de mejora Fuente de drenaje baja en resistencia. Identificación (diablillo): 20A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 1 Ohm. Td(apagado): 70 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: Silicon P Chanel Mos Fet. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Toshiba. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26