Transistor de canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100uA. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 1040pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 360pF. Función: SWITCHING, POWER MOS FET. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 24A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.55 Ohms. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: P-CHANNEL POWER MOS FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 4 v. Producto original del fabricante: Nec. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:26