transistor de canal P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V

transistor de canal P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.98€
5-9
2.59€
10-24
2.34€
25+
2.12€
Cantidad en inventario: 17

Transistor de canal P AP4415GH, 24A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 35V. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 25uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 35V. C(pulg): 990pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 220pF. DI (T=100°C): 15A. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Función: Conmutación rápida, convertidor CC/CC.. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 80A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 31.25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.036 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AP4415GH
29 parámetros
DI (T=25°C)
24A
Idss (máx.)
25uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
35V
C(pulg)
990pF
Cantidad por caja
1
Costo)
220pF
DI (T=100°C)
15A
Diodo Trr (Mín.)
25 ns
Función
Conmutación rápida, convertidor CC/CC.
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
80A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
31.25W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
Resistencia en encendido Rds activado
0.036 Ohms
RoHS
Td(apagado)
20 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
MOSFET de potencia en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55°C...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
25V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Advanced Power