transistor de canal P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

transistor de canal P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.06€
5-24
0.89€
25-49
0.79€
50-99
0.72€
100+
0.62€
Cantidad en inventario: 24

Transistor de canal P AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 1440pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 160pF. DI (T=100°C): 11A. Diodo Trr (Mín.): 43 ns. Función: -. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 60A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.064 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: MOSFET de potencia en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:25

Documentación técnica (PDF)
AP9575AGH
29 parámetros
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
60V
C(pulg)
1440pF
Cantidad por caja
1
Costo)
160pF
DI (T=100°C)
11A
Diodo Trr (Mín.)
43 ns
IDss (mín.)
10uA
Identificación (diablillo)
60A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
36W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
0.064 Ohms
RoHS
Td(apagado)
45 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
MOSFET de potencia en modo de mejora
Temperatura de funcionamiento
-55°C...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Advanced Power