Transistor de canal P BS250P, TO-92, 0.23A, -45V, 500nA, TO-92, 45V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): -. DI (T=25°C): 0.23A. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -45V. Idss (máx.): 500nA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 45V. : mejorado. Acondicionamiento: -. C(pulg): 60pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 60pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: -0.23A. Disipación máxima Ptot [W]: 0.7W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -0.23A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Identificación (diablillo): 3A. Marcado del fabricante: BS250P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.7W. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.7W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: no. Resistencia en el estado: 14 Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 14 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 20 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 20 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: P-MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: -45V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31