Transistor de canal P BSS83P, SOT23. Vivienda: SOT23. Características: -. Corriente de drenaje: -330mA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 330mA. Información: -. MSL: 1. Montaje/instalación: SMD. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. Polaridad: unipolares. Potencia: 360mW. QG (Total Gate Charge, max @ vgs): -. Resistencia en el estado: 2 Ohms. RoHS: no. Serie: -. Temperatura de funcionamiento: -. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: P-MOSFET. VGS (th) (max) @ id: -. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -60V. Voltaje de accionamiento: -. Voltaje de fuente de drenaje: -60V. Producto original del fabricante: Various. Cantidad mínima: 20. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 00:49