transistor de canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

transistor de canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V

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Transistor de canal P BSS84-215-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 45pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.25W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -0.13A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: 13. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 7 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 3 ns. Producto original del fabricante: Nxp. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 15:27

BSS84-215-PD
17 parámetros
Vivienda
SOT-23
Vivienda (norma JEDEC)
TO-236AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-50V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
45pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.25W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
10 Ohms @ -0.13A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-0.13A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
13
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
7 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-2V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
3 ns
Producto original del fabricante
Nxp