Transistor de canal P BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 50V. C(pulg): 25pF. Cantidad por caja: 1. Corriente continua promedio: -130mA. Corriente de drenaje: -130mA. Costo): 15pF. DI (T=100°C): 75mA. Función: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. IDss (mín.): 10uA. Identificación (diablillo): 520mA. Marcado en la caja: 11W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Polaridad: unipolares. Potencia: 0.25W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en el estado: 10 Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 6 Ohms. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD 11W. Td(apagado): 7 ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: Transistor D-MOS vertical en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.8V. Voltaje de fuente de drenaje: -50V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Nxp Semiconductors. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:31