transistor de canal P BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V

transistor de canal P BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V

Cantidad
Precio unitario
1-99
0.35€
100-999
0.19€
1000-2999
0.16€
3000+
0.14€
Cantidad en inventario: 5000

Transistor de canal P BSS84AK, SOT-23, TO-236AB, -50V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): TO-236AB. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -50V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 36pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -0.18A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: VS. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 48 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -2.1V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Producto original del fabricante: Nexperia. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 20:56

Documentación técnica (PDF)
BSS84AK
17 parámetros
Vivienda
SOT-23
Vivienda (norma JEDEC)
TO-236AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-50V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
36pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
0.35W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
4.5 Ohms @ -0.1A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-0.18A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
VS
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
48 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-2.1V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
13 ns
Producto original del fabricante
Nexperia