transistor de canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

transistor de canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.72€
5-24
1.49€
25-49
1.37€
50-99
1.28€
100+
1.15€
Cantidad en inventario: 33

Transistor de canal P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1802pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 415pF. DI (T=100°C): 9A. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: Baja resistencia de encendido, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja. IDss (mín.): -. Identificación (diablillo): 80A. Marcado en la caja: P3020LS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0116 Ohms. Td(apagado): 46 ns. Td(encendido): 5.1 ns. Tecnología: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Varios: Velocidad de conmutación rápida, baja fuga de entrada/salida. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 11:43

DMP3020LSS
29 parámetros
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
1uA
Vivienda
SO
Vivienda (según ficha técnica)
SO-8
Voltaje Vds(máx.)
30 v
C(pulg)
1802pF
Cantidad por caja
1
Costo)
415pF
DI (T=100°C)
9A
Diodo Trr (Mín.)
30 ns
Función
Baja resistencia de encendido, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja
Identificación (diablillo)
80A
Marcado en la caja
P3020LS
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
8:1
Pd (disipación de potencia, máx.)
2.5W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
0.0116 Ohms
Td(apagado)
46 ns
Td(encendido)
5.1 ns
Tecnología
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Varios
Velocidad de conmutación rápida, baja fuga de entrada/salida
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Diodes Inc.