Transistor de canal P ECW20P20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1850pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 850pF. Distribución de pines: 1 - G, 2 - S, 3 - D. Función: Amplificador de potencia de audio MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: transistor complementario (par) ECW20N20. Td(apagado): 105 ns. Td(encendido): 150 ns. Tecnología: Transistor de potencia MOSFET de canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 14V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Varios: Amplificador de potencia de alta fidelidad. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 1.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 0.1V. Producto original del fabricante: Exicon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 13:03