Transistor de canal P FDC638P, SOT-23/6, -20V. Vivienda: SOT-23/6. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -20V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 1.6W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -4.5A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: .638. Número de terminales: 6. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 33 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:45