transistor de canal P FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V

transistor de canal P FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.01€
5-24
0.86€
25-49
0.75€
50-99
0.67€
100+
0.54€
Cantidad en inventario: 31

Transistor de canal P FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 700pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 110pF. DI (T=100°C): -. Función: interruptor de carga, protección de batería. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: 642. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 642. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.6W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Baja carga de entrada. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 6 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:47

Documentación técnica (PDF)
FDC642P
33 parámetros
DI (T=25°C)
4A
Idss (máx.)
10uA
Vivienda
TSOP
Vivienda (según ficha técnica)
SUPERSOT-6
Voltaje Vds(máx.)
20V
Acondicionamiento
rollo
C(pulg)
700pF
Cantidad por caja
1
Costo)
110pF
Función
interruptor de carga, protección de batería
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
20A
Marcado en la caja
642
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD 642
Número de terminales
6
Pd (disipación de potencia, máx.)
1.6W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia en encendido Rds activado
0.045 Ohms
RoHS
Spec info
Baja carga de entrada
Td(apagado)
120ns
Td(encendido)
6 ns
Tecnología
PowerTrench MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
8V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
3000
Vgs(th) máx.
1.5V
Vgs(th) mín.
0.4V
Producto original del fabricante
Fairchild