Transistor de canal P FDC642P-F085, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SSOT. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6. Voltaje Vds(máx.): 20V. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 630pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 160pF. Diodo Trr (Mín.): 17 ns. Función: interruptor de carga, protección de batería. IDss (mín.): 250uA. Identificación (diablillo): 20A. Marcado en la caja: FDC642P. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD FDC642P. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.2W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0525 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Td(apagado): 23.5 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19