transistor de canal P FDD4141, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

transistor de canal P FDD4141, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.58€
5-24
1.35€
25-49
1.20€
50-99
1.11€
100+
0.99€
Cantidad en inventario: 83

Transistor de canal P FDD4141, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 58A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 2085pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 360pF. DI (T=100°C): 50A. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Función: Tecnología de zanjas de alto rendimiento. Identificación (diablillo): 100A. Marcado en la caja: FDD4141. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 69W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 12.3m Ohms. RoHS: sí. Spec info: Resistencia RDS(on) extremadamente baja. Td(apagado): 38 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19

FDD4141
32 parámetros
DI (T=25°C)
58A
Idss (máx.)
1uA
Vivienda
D-PAK ( TO-252 )
Vivienda (según ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
2085pF
Cantidad por caja
1
Costo)
360pF
DI (T=100°C)
50A
Diodo Trr (Mín.)
29 ns
Función
Tecnología de zanjas de alto rendimiento
Identificación (diablillo)
100A
Marcado en la caja
FDD4141
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
Transistor controlado por nivel lógico
Número de terminales
2
Pd (disipación de potencia, máx.)
69W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo
Resistencia en encendido Rds activado
12.3m Ohms
RoHS
Spec info
Resistencia RDS(on) extremadamente baja
Td(apagado)
38 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
PowerTrench MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3V
Vgs(th) mín.
1V
Producto original del fabricante
Fairchild