Transistor de canal P FDD5614P, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 15A, 1uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 759pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 759pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 90pF. DI (T=100°C): 15A. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -4.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -15A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 45A. Marcado del fabricante: FDD5614P. Marcado en la caja: FDD5614P. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Transistor controlado por nivel lógico. Número de terminales: 2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.076 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 34 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:19