Transistor de canal P FDN306P, SOT-23, -12V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -12V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1138pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -2.6A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: 306. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 61 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42