transistor de canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V

transistor de canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.57€
5-49
0.47€
50-99
0.41€
100-199
0.36€
200+
0.32€
Cantidad en inventario: 92

Transistor de canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. DI (T=25°C): 1.6A. Idss (máx.): 0.1uA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 20V. C(pulg): 451pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 75pF. Función: Gestión de batería. IDss (mín.): n/a. Identificación (diablillo): 5A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: serigrafía/código SMD 338. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.088 Ohms. Td(apagado): 16 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00

Documentación técnica (PDF)
FDN338P
24 parámetros
DI (T=25°C)
1.6A
Idss (máx.)
0.1uA
Vivienda
SOT-23 ( TO-236 )
Vivienda (según ficha técnica)
SOT-23
Voltaje Vds(máx.)
20V
C(pulg)
451pF
Cantidad por caja
1
Costo)
75pF
Función
Gestión de batería
Identificación (diablillo)
5A
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Nota
serigrafía/código SMD 338
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.5W
Resistencia en encendido Rds activado
0.088 Ohms
Td(apagado)
16 ns
Td(encendido)
10 ns
Tecnología
Specified PowerTrench MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
8V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.5V
Vgs(th) mín.
0.4V
Producto original del fabricante
Fairchild