transistor de canal P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v
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Transistor de canal P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Acondicionamiento: rollo. C(pulg): 182pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 182pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 56pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -1.5A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: Single P-Channel, Logic Level. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 5A. Marcado del fabricante: 358. Marcado en la caja: 358. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.105 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 21 ns. RoHS: sí. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 3000. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00