Transistor de canal P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. : mejorado. C(pulg): 1385pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 40nC. Corriente de drenaje: -8.8A. Costo): 275pF. Diodo Trr (Mín.): 29 ns. Función: controlador de carga de batería. Identificación (diablillo): 50A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Polaridad: unipolares. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: no. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. RoHS: sí. Spec info: Nivel de protección ESD de HBM de 3,8 kV. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: canal P. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Voltaje de fuente de drenaje: -30V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00