Transistor de canal P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 1855pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2470pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 355pF. DI (T=100°C): n/a. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -11A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: Rango VGS extendido (-25 V) para aplicaciones que funcionan con baterías. IDss (mín.): n/a. Identificación (diablillo): 55A. Marcado del fabricante: -. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 17.4m Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 200 ns. RoHS: sí. Spec info: FDS6675BZ. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 3 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 10 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00