Transistor de canal P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 2890pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 500pF. DI (T=100°C): n/a. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. IDss (mín.): n/a. Identificación (diablillo): 65A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 7.7m Ohms. RoHS: sí. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(apagado): 210 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00