Transistor de canal P FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -30V. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 100nA. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 528pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 528pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 132pF. Disipación máxima Ptot [W]: 2.5W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -5.3A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 50A. Marcado del fabricante: FDS9435A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.042 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 25 ns. RoHS: sí. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Td(apagado): 14 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tensión puerta/fuente Vgs: 25V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00