Transistor de canal P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -25V. DI (T=25°C): 0.46A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 63pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 63pF. Características: -. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 34pF. Disipación máxima Ptot [W]: 0.35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -0.46A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: Baja carga de entrada. IDss (mín.): 1uA. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 460mA. Identificación (diablillo): 1.5A. Información: -. Marcado del fabricante: 304. Marcado en la caja: 304. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. Polaridad: MOSFET P. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 1.22 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. RoHS: sí. Serie: -. Spec info: Voltaje de operación de la puerta tan bajo como 2,5 V. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 7 ns. Tecnología: Transistor de efecto de campo en modo de mejora. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -1.5V. Tensión puerta/fuente Vgs: 8V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Tipo de canal: P. Tipo de montaje: SMD. Tipo de transistor: MOSFET. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -25V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.65V. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad mínima: 5. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 23:00