Transistor de canal P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda (según ficha técnica): TO220. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 510pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 23nC. Corriente de drenaje: -2.7A. Costo): 70pF. DI (T=100°C): 1.71A. Diodo Trr (Mín.): 270 ns. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 10.8A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 85W. Polaridad: unipolares. Potencia: 85W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 4.9 Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 3.9 Ohms. RoHS: sí. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(apagado): 12 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Voltaje de fuente de drenaje: -500V. Voltaje de fuente de puerta: ±30V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41