transistor de canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

transistor de canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.78€
5-24
2.39€
25-49
2.12€
50-99
1.94€
100+
1.67€
+20 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 139

Transistor de canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 74A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 3400pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 120nC. Corriente de drenaje: -74A. Costo): 1400pF. DI (T=100°C): 52A. Diodo Trr (Mín.): 89 ns. Función: Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 260A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: unipolares. Potencia: 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en el estado: 20M Ohms. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00

Documentación técnica (PDF)
IRF4905
37 parámetros
Vivienda
TO-220
DI (T=25°C)
74A
Idss (máx.)
250uA
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
55V
Acondicionamiento
tubus
C(pulg)
3400pF
Cantidad por caja
1
Cargar
120nC
Corriente de drenaje
-74A
Costo)
1400pF
DI (T=100°C)
52A
Diodo Trr (Mín.)
89 ns
Función
Ultra Low On-Resistance
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
260A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
Polaridad
unipolares
Potencia
200W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
Resistencia en el estado
20M Ohms
Resistencia en encendido Rds activado
0.02 Ohms
RoHS
Td(apagado)
61 ns
Td(encendido)
18 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
-55V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
International Rectifier