Transistor de canal P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V. Vivienda: TO220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -55V. Corriente máxima de drenaje: 74A. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3400pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -74A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 74A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRF4905. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: MOSFET P. Potencia: 200W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 61 ns. RoHS: sí. Serie: HEXFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Tipo de canal: P. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): -55V. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42