Transistor de canal P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 3400pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 1400pF. DI (T=100°C): 42A. Diodo Trr (Mín.): 89 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -64A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Función: Conmutación rápida, resistencia de encendido ultrabaja. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 260A. Marcado del fabricante: F4905S. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 61 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00