transistor de canal P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

transistor de canal P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

Cantidad
Precio unitario
1+
5.06€
+484 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad!
Cantidad en inventario: 800

Transistor de canal P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -64A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: F4905S. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 51 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:25

Documentación técnica (PDF)
IRF4905STRLPBF
17 parámetros
Vivienda
D²-PAK
Vivienda (norma JEDEC)
TO-263
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-55V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3500pF
Configuración
componente montado en superficie (SMD)
Disipación máxima Ptot [W]
150W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ -38A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-64A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
F4905S
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
51 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-4V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
20 ns
Producto original del fabricante
International Rectifier