transistor de canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V
| +1 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad! | |
| Cantidad en inventario: 105 |
Transistor de canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 2700pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 120nC. Corriente de drenaje: -40A. Costo): 790pF. DI (T=100°C): 29A. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 140A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: unipolares. Potencia: 200W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 79 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -100V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00