transistor de canal P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB

Cantidad

Precio unitario

1-2

4.11€

3-9

3.54€

10-49

3.17€

50+

3.15€

Cantidad en inventario: 6

Transistor de canal P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): -100V. Corriente máxima de drenaje: 40A. Vivienda: TO-220AB. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 19:23

Documentación técnica (PDF)

IRF5210PBF

7 parámetros

Tensión drenaje-fuente (Vds)

-100V

Corriente máxima de drenaje

40A

Vivienda

TO-220AB

Resistencia en encendido Rds activado

0.06 Ohms

Tipo de canal

Tipo de transistor

transistor de potencia MOSFET

Producto original del fabricante

Infineon Technologies