Transistor de canal P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 2860pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 800pF. DI (T=100°C): 24A. Diodo Trr (Mín.): 170 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 50uA. Identificación (diablillo): 140A. Marcado en la caja: F5210S. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 3.8W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 72 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00