transistor de canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V
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Transistor de canal P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Vivienda: TO-220. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1200pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 42nC. Corriente de drenaje: -31A. Costo): 520pF. DI (T=100°C): 22A. Diodo Trr (Mín.): 71 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 110A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 110W. Polaridad: unipolares. Potencia: 110W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.06 Ohms. Resistencia térmica de alojamiento: 1.4K/W. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(apagado): 39 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:00