Transistor de canal P IRF7204, SO8. Vivienda: SO8. Cargar: 25nC. Corriente de drenaje: -5.3A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 2.5W. Resistencia térmica: 50K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: P-MOSFET, HEXFET. Voltaje de fuente de drenaje: -20V. Voltaje de fuente de puerta: 12V, ±12V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:22