Transistor de canal P IRF7205PBF, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 5uA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 870pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 720pF. DI (T=100°C): 3.7A. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 15A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.07 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 97 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:08