transistor de canal P IRF7314, SO, SO-8
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Transistor de canal P IRF7314, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Cargar: 19nC. Corriente de drenaje: -5.3A. Función: Transistor MOSFET de canal P. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Voltaje de fuente de drenaje: -20V. Voltaje de fuente de puerta: 12V, ±12V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:27
IRF7314
16 parámetros
Vivienda
SO
Vivienda (según ficha técnica)
SO-8
Cantidad por caja
2
Cargar
19nC
Corriente de drenaje
-5.3A
Función
Transistor MOSFET de canal P
Montaje/instalación
componente montado en superficie (SMD)
Número de terminales
8:1
Polaridad
unipolares
Potencia
2W
Resistencia térmica
62.5K/W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Voltaje de fuente de drenaje
-20V
Voltaje de fuente de puerta
12V, ±12V
Producto original del fabricante
International Rectifier