Transistor de canal P IRF7342, SO, SO-8. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Cargar: 26nC. Corriente de drenaje: -3.4A. Equivalentes: IRF7342PBF. Función: IDM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: P. Voltaje de fuente de drenaje: -55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43