Transistor de canal P IRF7342PBF, SO8, -55V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 690pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -3.4A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: F7342. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 64 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 22 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45